无锡吴越半导体氮化镓GaN晶体出片全球首例厚度突破1厘米

发布时间：2021-12-16 13:35:29 所属栏目：动态来源：互联网

导读：吴越半导体 GaN 晶体出片仪式在无锡高新区举行。据无锡高新区消息，仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破 1 厘米的氮化镓晶体，并与君联资本、新投集团签署 A 轮融资战略框架协议。无锡吴越半导体有限公司成立于 2019 年，是无锡先导集成电路

吴越半导体 GaN 晶体出片仪式在无锡高新区举行。

据无锡高新区消息，仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破 1 厘米的氮化镓晶体，并与君联资本、新投集团签署 A 轮融资战略框架协议。
无锡吴越半导体氮化镓GaN晶体出片全球首例厚度突破1厘米

无锡吴越半导体有限公司成立于 2019 年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司专注于氮化镓自支撑衬底的开发、生产和销售。

2020 年 2 月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施 2-6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，项目建成投产后，可填补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓原材料领域的空白。

（编辑：站长网）

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