详解亚洲半导体：老牌领袖与中国大陆的雄心

通过结合严格的逆周期投资和工艺工程，三星已经在内存领域取得市场的绝对领先地位。内存曾经是一个具有典型繁荣和萧条周期的行业，正如 2001、2008 和 2012 年戏剧性的 DRAM 衰退周期所证明的那样。在这些动荡的周期中，三星严谨的投资方法和工程实力创造了一个积极的反馈循环。他们的技术领先地位为他们提供了成本优势，这意味着在上升周期中，他们能够比同行产生更多的利润和现金，然后将其投资于随后的下降周期。这些投资用于研发，在他们与竞争对手之间造成了更大的技术差距。在这些周期中，他们的许多同行为了缩小技术差距而背负了大量债务，

 

　　如果我们必须选择一个决定性的时刻，引领三星在技术上处于领先地位，那将是他们决定在 DRAM 中采用堆叠电容器架构。电容器是 DRAM 中的关键组件，负责将电荷存储为内存。早在 2000 年代初期，关于电容器架构的两种思想流派导致了 DRAM 技术路线图的分歧——即堆叠式和沟槽式。三星的竞争对手追求的是挖沟，因为它的垂直结构能够实现更高的频率。

然而，随着芯片尺寸随着时间的推移而缩小，性能成为一个问题，因为芯片变得太薄，因此垂直结构成为一个限制因素。虽然堆叠电容器有一些初始性能问题，事实证明，它们更强大，并且至关重要地使三星和海力士等公司能够以更快的速度缩小其 DRAM 芯片。因此，奇梦达、力晶、Promos、Inotera 和尔必达等具有周期性投资策略或追求挖沟电容器的公司要么被收购，要么退出该行业，要么破产。